омпания SK Hynix заявила о разработке 4-Гбит микросхем GDDR3-памяти, выполненных по проектным нормам 20-нм класса. Новинки нацелены, главным образом, на использование в ноутбуках и отличаются малой потребляемой мощностью.
<div style="text-align: center;"></div>
Чипы работают при напряжении питания 1,35 В и потребляют на 30% меньше энергии по сравнению с предшественниками, которые производятся по техпроцессу 30-нм класса. Несмотря на малое энергопотребление, новинки отличаются высоким быстродействием, отмечают разработчики. При производительности 1,8 Гбит/с на контакт общая пропускная способность микросхем составляет 3,6 Гбайт/с при использовании 16-разрядного интерфейса.
SK Hynix планирует запустить новые чипы в массовое производство в четвёртом квартале текущего года.
</div>