На конференции IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
компания Hynix Semiconductor анонсировала новое поколение микросхем
флеш-памяти, которое она именует как «Middle-1Xnm». Вероятно,
подразумевается, что данные чипы будут выпускаться по проектным нормам
15 нм.
Серийное производство уже близко, ведь инженерам Hynix уже удалось
решить некоторые ключевые проблемы, которые возникают при уменьшении
размеров линий слов и разрядных линий вследствие перехода от 20-нм
техпроцесса к 1Xnm. Сама компания обещает запустить массовый выпуск
новых чипов во второй половине следующего года.
Пространство, в которое встраиваются управляющие затворы из
поликристаллического кремния, становится слишком маленьким. В
результате, усиливается интерференция между разрядными линиями. Для
решения данной проблемы Hynix добавила технологический процесс,
уменьшающий ширину плавающего затвора в направлении, параллельном линиям
слов, и увеличивающий пространство для управляющих затворов. Это
позволило уменьшить интерференцию на 20%.
Когда данные записываются, к управляющему и плавающему затворам,
которые расположены близко друг к другу, прикладывается электрическое
поле высокой напряженности. В результате, есть высокая вероятность
утечки заряда через плавающий затвор. Для решения этой проблемы Hynix
приняла две меры.
Во-первых, инженеры улучшили процесс формирования воздушного зазора в
изолирующей плёнке, который разделяет соседние линии слов. В структуре
чипа воздушный зазор занимает более 50% пространства между соседними
линиями слов. Электрическое поле, прикладываемое между управляющим и
плавающим затворами при записи данных, уменьшено на 20% по сравнению со
структурой, в которой не предусмотрено формирование воздушного зазора.
<div style="text-align: center;"> </div>
Во-вторых, Hynix уменьшила проблемное электрическое поле благодаря
подачи напряжения на линию слов, которая размещается за линией слов, в
которую в данный момент идёт запись, на 2 В выше, чем напряжение обхода.
Этот метод также позволяет увеличить скорость записи данных.
Кроме того, инженеры компании также уменьшили ток, необходимый для
процесса чтения ячеек, и токи утечки. Этого удалось добиться благодаря
усовершенствованию переходов сток-исток.
|