Закон Мура, который в течение нескольких десятилетий определял темпы
развития микроэлектроники, в частности, интегральных микросхем, в
ближайшее время будет давать сбои. К такому мнению пришли эксперты в
рамках международного симпозиума 2012 International Symposium on Extreme
Ultraviolet Lithography. Причиной такого вердикта стала ситуация, когда
ведущие чипмейкеры задерживают переход на литографию с применением
глубокого ультрафиолета.
Впрочем, производители интегральных микросхем поставлены в зависимое
положение. Они готовы к освоению EUV-литографии, но пока технологическое
оборудование не соответствует их требованиям. Дело в том, что для
проведения этого техпроцесса необходимо использование более мощных
источников света. Для выпуска 14-нм микросхем необходимо увеличить этот
показатель примерно в двадцать раз, по сравнению с сегодняшними
источниками ультрафиолетового излучения. К сожалению, быстро
усовершенствовать оборудование не получится — ориентиром здесь может
служить лишь 2014 год. Именно в такие сроки разработчики планируют
справиться со своими задачами, да и то, это лишь примерный прогноз, и
подготовка может затянуться.
<div style="text-align: center;"> </div>
На данный момент установки литографии с использованием глубокого
ультрафиолета созданы и успешно работают. Например, исследовательский
центр Interuniversity Microelectronics Centre (IMEC) в прошлом году
изготовил около трех тысяч кремниевых пластин по технологии
EUV-литографии. Но такая производительность слишком мала, чтобы
соответствовать требованиям крупносерийного производства, каким владеют
компании Intel, Samsung, TSMC и прочие.
Для освоения 14-нм технологического процесса крайне необходимо
освоение EUV-литографии. Например, массив статической памяти (SRAM) по
14-нм нормам невозможно изготовить без глубокого ультрафиолета, а
значит, и центральные процессоры в целом нуждаются в применении такого
оборудования.
Поставленные перед разработчиками задачи и проблемы столь сложны и
ресурсоемки, что требуют привлечения самих чипмейкеров к их решению.
Компании Intel и TSMC уже вовсю вовлечены в этот процесс — не так давно
они объявили о финансовых вложениях в ведущую компанию-разработчика
литографического оборудования, ASML. Сама Intel уже заявила, что начнет
серийно выпускать 14-нм микросхемы к следующему году, а к 2015 году
освоит и 10-нм техпроцесс. Если к этому моменту EUV-установки еще не
будут готовы, то технологам Intel придется идти на ряд ухищрений,
увеличивая количество операций и повышая тем самым себестоимость
продукции и время ее изготовления. Но все равно, несмотря на эти
недостатки, интегральные микросхемы будут рентабельны.
Нет сомнений, что в конечном итоге технология глубокого ультрафиолета
поддастся разработчикам, серийный выпуск 14-нм микросхем с применением
EUV-литографии будет налажен. После этого новая проблема появится на
горизонте — технологический процесс с проектными нормами в 6 нанометров,
а потом и 2 &mdash 3 нанометра. Здесь уже не обойтись без той же
EUV-литографии, но придется использовать уже иммерсионный слой на
поверхности кристалла. То есть, некий гибрид EUV-литографии и
иммерсионной фотолитографии, но уже выведенной на более высокий уровень.
|